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Typical Electrical Characteristics (continued)
1.08
20
1.06
I D = -250μA
10
4
1
V GS = 0V
T J = 125°C
1.04
25°C
1.02
1
0.98
0 .1
0 .0 1
0 .0 0 1
-55°C
0.96
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
150
175
0 .0 0 0 1
0
0 .2 0 .4 0.6 0 .8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1 .2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature .
4000
8
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature .
3000
I
D
= -24A
V DS = -5V
2000
Cis s
6
-15V
-10V
1000
500
C oss
4
300
200
f = 1 MHz
C rss
2
V GS = 0 V
100
0 .1
0 .2
-V
DS
0 .5 1 2 5
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
0
0
10
Q
g
20
, GATE CHARGE (nC)
30
40
Figure 9. Capacitance Characteristics .
Figure 10. Gate Charge Characteristics .
-V DD
t on
t off
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V O U T
10%
10%
90%
S
V IN
10%
50%
PULSE WIDTH
50%
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms .
NDP6020P Rev.C1
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